内存/闪存今年集体缺货、涨价!罪魁祸首是它

内存大厂金士顿近日表态,今年因为主要的DRAM内存大厂都没有增产计划,全年DRAM内存都面临缺货窘境。此外,群联公司董事长潘建成也强调,NAND闪存因为进入3D世代,制程良率无法提升,预计将缺货一整年。
   从2016年下半年开始,内存、闪存的缺货涨价势头开始上扬,2017年这一局面将继续扩散蔓延,而且一整年都未必会有改观。

内存/闪存今年集体缺货、涨价!罪魁祸首是它

  据台湾经济日报报道,内存大厂金士顿近日表态,今年因为主要的DRAM内存大厂都没有增产计划,全年DRAM内存都面临缺货窘境。此外,群联公司董事长潘建成也强调,NAND闪存因为进入3D世代,制程良率无法提升,预计将缺货一整年。

  日前,金士顿董事长陈建华出席群联竹南三厂上梁典礼时,针对DRAM内存市场进行了分析,他表示,目前主要DRAM内存大厂都没有增产计划,而且将主要产能转移生产3D NAND闪存,造成DRAM内存供需短缺。

内存/闪存今年集体缺货、涨价!罪魁祸首是它

  值得一提的是,三星是这波DRAM内存价格上涨的主要推手。目前,三星超过7成产能已经被苹果以及自家手机、大陆的OPPO/vivo瓜分,能供应给其它品牌的十分有限,其产能转型为成长速度最快的3D NAND闪存。

  其它厂家也有跟进,但良品率都不及三星,让三星有资格和能力主导价格调整,以弥补其Note 7手机停产造成的损失。

  除了DRAM内存工序失衡外,相关PCB板材料短缺,也是价格上涨的因素之一。
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