2018重庆国际手机展

三星量产第五代3D V-NAND闪存:96层堆叠 提速40%

三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。
   三星电子宣布,已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存,同时拥有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。
  
  这些单元以金字塔结构堆积,并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞,尺度仅有几百微米宽。
三星量产第五代3D V-NAND闪存:96层堆叠 提速40%
  
  它还业内首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面,在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps,比上代64层堆叠提升了40%,同时电压从1.8V降至1.2V,能效大大提高。
  
  数据写入延迟仅为500微秒,比上代提升30%,而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
  
  三星还透露,正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。
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    设备2)GDM方式:Glass Direct Mold (玻璃上面直接做UV转印/拉丝)
    设备3)指纹识别芯片上的UV Coating(GDM方式)
    设备4)热转印机(印刷菲林转印):用于芯片、前后盖的印刷菲林的热转印
    现有客户有: 蓝思、伯恩、维达力、欧菲光 、LGD、ichia、越南三星。星驰光电、合力泰、瑞声、 SDC、JDI、SSNT、S`R、CICT.MCTECH、贵州星瑞安、聚龙高科、正峰印刷、Y&S、LG、JUNE、YCT、LG、KAIST、上海美细耐斯、瑞必达、崇康、Ryuk-ll C&S、C&S、YNS、Unicon、ISL、锐欧光学、
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