这些单元以金字塔结构堆积，并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞，尺度仅有几百微米宽。
它还业内首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面，在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps，比上代64层堆叠提升了40％，同时电压从1.8V降至1.2V，能效大大提高。
数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
三星还透露，正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。
三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计，是目前行业纪录，内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元，每单元可保存3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。
