VCSEL外延领域:最大的挑战是良率和成本

12月26日,由手机报在线举办的以“VCSEL发力,大势所趋”为主题的全球首届VCSEL应用大会在深圳成功举办。德国Aixtron(爱思强)中国区工艺总监方子文博士发表了《红外VCSEL的外延大规模量产解决方案》的主题演讲。
   随着产品良率的提升和成本的控制,越来越多的应用光源选择VCSEL。VCSEL更是物联网、智能家居、无人驾驶、手势识别等领域的核心技术。VCSEL也将成为稳定性和低功耗应用的首选技术。
 
  12月26日,由手机报在线举办的以“VCSEL发力,大势所趋”为主题的全球首届VCSEL应用大会在深圳成功举办。德国Aixtron(爱思强)中国区工艺总监方子文博士发表了《红外VCSEL的外延大规模量产解决方案》的主题演讲。
 
VCSEL外延领域:最大的挑战是良率和成本
  德国Aixtron中国区工艺总监方子文
 
  外延的门槛在于设备,尤其是MOCVD设备。作为MOCVD两大巨头之一,AIXTRON(爱思强)从1983年开始做MOCVD设备,已有超过30年的历史,在GaAs/InP材料体系的MOCVD领域有着绝对领先的技术及市场占有率。
 
  针对红外VCSEL应用,方子文介绍了MOCVD外延方面的市场应用。自从去年苹果发布iphoneX应用了VCSEL之后,今年安卓阵营的产品也全部配备了VCSEL,就可以看出VCSEL的市场发展空间之大,他表示,VCSEL市场在2023年会达到180亿美金的规模。当然,这个市场主要还是由消费级器件来驱动。
 
  除了消费级器件外,VCSEL在汽车工业也有广阔的应用前景。方子文举例说:“在今年的9月份,已有厂商发布针对汽车自动驾驶的大功率VCSEL产品,就是用VCSEL外延技术,其芯片大小到达了5×5毫米,可以精准感测250米的距离。这为未来汽车自动驾驶铺平了道路。”
 
  针对VCSEL器件的大规模商业化量产,方子文强调,消费级市场对产品最大的挑战是高良率及低成本:“大家知道现在VCSEL器件的整体良率并不高。外延能够控制的良率,到最后都会变成现金,良率越高,生产成本就会越低。”
 
  在外延技术方面,与传统砷化镓LED器件相比,VCSEL器件对MOCVD机台的要求更高,主要表现在苛刻的DBR均匀性以及MOCVD机台对颗粒/缺陷的控制能力。
 
  DBR均匀性决定了器件本身的波长良率,量产型的6英寸VCSEL外延片需能保证1nm左右的波长均匀性,来稳定控制产品波长。传统LED芯片尺寸相对较小,而VCSEL芯片的尺寸较大,基本都在毫米级别。因此一片6英寸砷化镓衬底只能生产约一万个芯片,任何的表面缺陷或者颗粒会直接导致这个区域的芯片报废。方子文说:“我们认为一个高良率的VCSEL生产需将6英寸的颗粒/缺陷控制在100颗以内,才能保证高达99%以上的表面良率。”
 
  在方子文看来,对于外延设备的要求,第一就是外延材料的均匀性非常好,第二就是表面颗粒数非常低。在保证高良率的基础上,MOCVD机台还需要有效的控制物料成本,为此,方子文重点介绍了一款AIX2800G4-TM设备。
VCSEL外延领域:最大的挑战是良率和成本
  图片AIX2800G4-TM设备
 
  AIX2800G4-TM,使用AIXTRON行星式反应腔,配备自动化传盘功能。单腔可以同时生产8片6英寸VCSEL外延片。AIXTRON行星式反应腔提供了多片机的高产能,同时保证了单片机的均匀性/工艺稳定性。同一腔体内的每一片外延片都可以独立调整自己的沉积温度,每片衬底有一致的工艺温度,保证片与片之间的温度均匀。
 
  “这是通过AIXTRON特有的行星式反应机理来实现的,每个衬底的托盘背后,都有通气导气槽,使小盘能够悬浮在空中。通过控制气体的流量,我们可以精准的控制每个小盘的温度,结合自动控制软件,8片小盘的温度差异性可以控制在0.3度以内。精准的温度控制为高良率的波长控制奠定了基础。此外,通过机械手的自动高温传盘,机台可以保障最低的颗粒。方子文展示了最新6英寸外延结果为0.7nm的DBR均匀性及41个表面颗粒,这完全能满足VCSEL大规模生产的良率要求。”方子文说。
 
  另外,为确保最高的物料使用率,爱思强采用全石墨的腔体设计。其表示,如果是6寸的外延生产,基本可以达到30%的物料效率,与竞争对手相比可以节省一倍以上的物料。核算下来,一台这样的设备,单单是物料的节省,一年就可以节省一百万人民币以上。
 
  整体来说,随着VCSEL市场的扩大,其外延生产会逐渐从欧美转到中国,对于新进入国际市场的VCSEL厂商,必须稳定的控制产品良率及成本,才能在国际舞台占到一席之地。爱思强已经准备好与顶尖的国内外延厂商合作,推动VCSEL器件国产化的进程。
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