三星电子将向其中国芯片工厂再投资80亿美元

这80亿美元的投资,是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资。此前,在2017年,该公司宣布,计划在3年内向其位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元,这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。
   12月13日消息,据国外媒体报道,三星电子将向其位于中国的芯片工厂增加80亿美元的投资,以提高NAND闪存芯片的产量。
 
  此次投资正值内存芯片行业预计明年出现反弹之际,而今年该行业增长缓慢。这在很大程度上是由于供应不足以及市场对5G设备的需求增加。目前,世界各地都在测试5G网络。
 
  这80亿美元的投资,是三星西安闪存芯片项目二期的第二阶段投资。此前,在2017年,该公司宣布,计划在3年内向其位于西安的NAND闪存芯片工厂投资70亿美元,这笔投资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段投资。
 
  该公司二期项目的总投资为150亿美元,预计于2021年下半年竣工,建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元。
 
  自2014年以来,三星一直在其位于西安的工厂生产NAND芯片。从技术层面来说,NAND芯片可永久保存数据,是许多计算和存储设备的一部分,可用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘。
 
  此前,三星还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元,这笔投资是三星西安闪存芯片项目的一期投资。
 
  在NAND闪存领域,三星与包括韩国SK海力士(SK Hynix)、美光科技、西部数据、英特尔和东芝在内的竞争对手展开激烈竞争。(小狐狸)
读者们,如果你或你的朋友想被手机报报道,请狠戳这里寻求报道
相关文章
精彩评论:
0  相关评论
热门话题
推荐作者
热门文章
  • 48小时榜
  • 双周榜
热门评论