在新产品方面，长江存储正在研发64层的3D NAND闪存，计划在2018年年底前推出样品。
跟长江存储不同的是，晋华公司和Innotron主要负责DRAM内存芯片的制造。据说前者已经开始了8Gb LPDDR4内存芯片的试生产，而后者预计明年量产19nm技术生产的8Gb DDR4内存芯片。
外界普遍认为，中国存储芯片公司逐步扩大产能，全球内存闪存芯片市场的价格有望出现下降。
对于关注国产内存、闪存的用户来说，从明年开始将会有实质性的成果，因为长江存储、晋华集成电路以及合肥Innotro存储都将量产。据台湾电子时报报道称，2019年，中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产。目前，长江存储正在准备的第一个订单是，生产8GB容量的SD存储卡，订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。
