台积电10nm跑赢英特尔 联发科沾光

在台积电与英特尔、三星的14/16纳米竞赛中,联发科先选择台积电的20纳米制程推出今年主打的最高端手机芯片曦力“Heliox20”,高通的骁龙820则在三星以14纳米制程生产。
  据台湾经济日报的消息,台积电10纳米已超车英特尔。外电报导,全球半导体龙头英特尔10纳米制程将会延后至2017年下半年,若至当年底才会量产,将落后台积电一至两季。

半导体三雄—英特尔、台积电、三星近年在先进制程进度大车拚,总是由英特尔领先。三雄的先进制程推进脚步,攸关对苹果、高通、联发科等重量级客户的抢单能力。

台积电因先行布局20纳米,使得16纳米稍有落后,让三星分食一部分苹果A9处理器订单,市场亦屡传英特尔有意抢苹果订单,半导体三雄的下一场战役将落在10纳米制程。

英特尔迟迟未正式对外说明10纳米进度,但据知名财经网站TheMotleyFool指出,英特尔公关部门证实,首颗10纳米产品将依计划在2017年下半年如期推出,对照台积电预定今年底量产10纳米的时程,最长恐会落后一年。

据英特尔规划,10纳米处理器将会推出三个产品线,分别是在2017年量产的Cannonlake系列处理器、2018年的Icelake以及2019年下半年的Tigerlake系列处理器。

在10纳米之后,目前外界认为,英特尔的7纳米产品应该会在2020年上市,并可能在2022年跨入5纳米世代。

相较之下,台积电16纳米制程今年大幅冲刺市占,遥遥领先对手三星。台积电董事长张忠谋日前在法说会上强调,台积电未来在10纳米制程也会以高市占率大幅领先对手。这项谈话反映台积电不仅在纳米制程大幅甩开对手三星,在10纳米也会超越英特尔。

台积电共同执行长暨总经理刘德音说,台积电10纳米和7纳米制程照既定计划进行,除10纳米试产良率持续提升,台积电今年首季也完成首颗7纳米制程生产静态存取记忆体(SRAM)产出,预定2018年第1季完成产品设计定案,主要生产据点将座落于中科。

台积电10纳米制程超车英特尔、三星等竞争对手,涉及客户端间的竞争态势,对于身为首波10纳米客户之一的联发科而言,相对有利。

联发科主要竞争对手为高通和展讯,其中,联发科在先进制程以台积电为主,高通已转向三星,展讯则选择大股东之一的英特尔,与台积电两家大厂一起供应。

在台积电与英特尔、三星的14/16纳米竞赛中,联发科先选择台积电的20纳米制程推出今年主打的最高端手机芯片曦力“Heliox20”,高通的骁龙820则在三星以14纳米制程生产。

联发科原规划在今年投入台积电16纳米制程,但因16纳米制程起步已较展讯略晚,加上今年高端手机呈现卖不动的迹象,因此日前已重修产品蓝图,计划跳过16纳米制程,直攻10纳米。

目前联发科已将研发主力集中在这一颗10纳米产品,改为10纳米制程的“Heliox30”计划在今年底就要对客户送样,明年初就要量产。

当台积电的10纳米制程顺利领先三星和英特尔,代表联发科的10纳米产品将可望跟着领先高通、展讯等竞争对手,有利于抢进品牌手机厂的旗舰机种,并拉升产品均价(ASP)表现。
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